ddr2 ddr3 区别（ddr2和ddr3有什么不同）

　　有很多朋友可能对于DDR2和DDR3这两个名词并不太了解，想要了解一下它们的区别吗?如果你想知道的话，那就跟着我一起来看看吧!

　　首先，我们来说说DDR3和DDR3L到底是什么。DDR3是一种新一代的内存技术，它是DDR2的升级版。而DDR3L则是DDR3的低电压版本，它的电压更低，能够节省更多的能源。

　　那么，DDR2和DDR3有什么区别呢?首先，逻辑Bank数量是不同的。DDR2中有4个Bank和8个Bank的设计，这是为了满足未来大容量芯片的需求。而DDR3则起始的逻辑Bank就是8个，并且还准备了16个逻辑Bank，以备将来使用。

　　其次，封装也是不同的。由于DDR3增加了一些功能，引脚方面会有所增加。8位芯片采用78球FBGA封装，16位芯片采用96球FBGA封装。而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。此外，DDR3必须使用绿色封装，不能含有任何有害物质。

　　再次，突发长度也是有区别的。DDR3的预取为8位，所以突发传输周期固定为8。而对于DDR2和早期的DDR架构的系统来说，突发长度为4的操作是常见的。因此，DDR3为了实现8位的数据突发传输，引入了一个4位的突发突变模式。

　　最后，寻址时序也不同。DDR3的CL周期比DDR2提高了，DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间。除了CL周期的变化，DDR3还引入了附加延迟(AL)的设计。DDR2时的AL范围是0至4，而DDR3有三个选项可供选择，分别是0、CL-1和CL-2。此外，DDR3还新增了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这个参数会根据具体的工作频率而定。