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丘蚁

流浪地球2真是一部烂片!进了电影院,要立体眼镜时才被告之,这是2d的电影!这年头,进电影院不就是为了看个特效吗?否则,不如在网上看了!好吧,既然不是立体的,那肯定是故事讲的好喽!然而,整个故事情节也给人生编硬造之感。首先,科幻电影要有一定的科学逻辑,那部直插云霄的太空电梯,怎么做到不倒的呢?想破脑袋也想不出!

其次,煽情的套路太老了!两个主角都以老婆、孩子为泪点,戏码重复!为了突出人类的牺牲主义戏码,突然冒出了核弹需要人工引爆的桥段,有临时加戏的嫌疑。实际上,这部电影的名字不应该听《流浪地球2》,应该叫《流浪地球前传》更合适。总之,无论从故事、特效、格局几个方面来看,《流浪地球2》都比第一部退步了!花那么多钱做特效,最终搞个2d!

深入了解ZnO和N注 ZnO薄膜中的铁磁性起源,是否可以使用实验和DFT方法?

在本研究中,我们阐明了一种同时调节氧化锌 (ZnO)薄膜的光学带隙和磁性的有效方法. 这可以通过在宿主基质中加入氮离子来实现。

我们通过实验技术和密度泛函理论(DFT)计算系统地研究了氮离子在氧化锌薄膜中的影响,以了解支配观察到的磁性行为和带隙变化的物理机制。

为此,在Si基底上沉积的RF溅射氧化锌薄膜被植入不同的氮离子,并研究其光学和磁性能。原始的氧化锌薄膜的饱和磁化强度约为 2.45 emu/cm 3对于 1 × 10 17 ions/cm 2的离子注量,这几乎是两倍。

此外,通过 N离子注入,光学带隙从 3.27 eV 调整到 3.04 eV 。该研究为理解非磁性离子掺杂 氧化锌 系统中铁磁性的基础提供了新的见解。

氧化锌具有高激子结合能 (60 meV) 和 3.37 eV 的宽带隙等显著特性,使其成为激子器件的优良材料 。

然而,近年来,人们对氧化锌 作为稀磁半导体 (DMS) 的磁性行为产生了浓厚的兴趣。这些材料在室温下的铁磁性可用于各种基于自旋的设备。

在稀磁半导体的情况下,阳离子部分被过渡/稀土 (RE) 原子取代。过渡金属/稀土掺杂氧化锌 铁磁材料作为自旋电子学的合适稀磁半导体候选材料有大量实验数据和模型可用,但磁性机制尚无定论。

除了稳定性和可重复性问题,由于金属团簇或二次相的析出,铁磁性是否具有内在或外在起源一直存在争议。

由于团簇形成和相分离而产生的磁性不适用于技术应用。这些争议导致寻找基于非磁性元素的合适稀磁半导体。这个想法是通过非磁性掺杂剂在主晶格中引入铁磁性,以便磁性是纯固有的。这种由于非磁性元素/缺陷而出现的铁磁性通常被称为“ 这些争议导致寻找基于非磁性元素的合适稀磁半导体。

这个想法是通过非磁性掺杂剂在主晶格中引入铁磁性,以便磁性是纯固有的。这种由于非磁性元素/缺陷而出现的铁磁性通常被称为“ 这些争议导致寻找基于非磁性元素的合适稀磁半导体。

这个想法是通过非磁性掺杂剂在主晶格中引入铁磁性,以便磁性是纯固有的 。这种由于非磁性元素/缺陷而出现的铁磁性通常被称为“d 0铁磁性',其中可以忽略由于部分填充的 3d 或 4 f子壳引起的磁性起源的可能性。现有的稀磁半导体理论不能应用于这些系统,因为它们基于 3d 和 4f 壳电子,但在 p 壳元素掺杂材料的情况下没有这样的轨道。

缺陷被认为是在费米能级开始杂化并在这些系统中建立长程铁磁性的原因。这些缺陷是由于制备方法或通过在主晶格中引入一些非磁性离子而产生的。按照这个想法,室温铁磁研究已经使用非磁性离子如 Mg、C 和 N 掺杂氧化锌系统进行。

最近,氮 (N) 作为一种非磁性掺杂剂因在氧化锌中诱导铁磁特性而引起了极大的关注。尽管报道了一些关于氮掺杂氧化锌铁磁性的理论和实验研究,但仍存在一些争论。

基于 Lee 等人的理论计算。发现 O 空位是在低氮掺杂水平下使用普通 N 2源的 氮受体的主要补偿供体,而 Zn 反位点是在高掺杂水平下的主要补偿供体。实际上,Jindal 等人。将氮掺杂氧化锌薄膜中的铁磁性归因于2 p –2 p氧位点结合的 N 离子与邻近的氧原子之间的相互作用。

也有证据表明载体(电子/空穴)介导了磁相互作用。Kumar 等人的另一份报告。表明,在 CeO 2中注入较低剂量的氮膜增强了饱和磁化强度,同时它在较高剂量下降低。哈里瓦尔等人。通过改变注入角度研究了 N 离子对氧化锌薄膜的作用。

他们还观察到饱和磁化强度增加到 60° 的注入角,然后磁化强度降低 90°。然而,90° N 注入的 氧化锌离子的饱和磁化强度仍然大于纯氧化锌。

参考文献:

本征缺陷对ZnO:(In,N)薄膜p型导电的影响 谭蜜;孔春阳;李万俊;秦国平;张红 中国科学:物理学 力学 天文学 2018

ZnO薄膜离子注入改性的研究进展 薛书文; 梅芳; 肖世发; 黄子康; 莫东 液晶与显示 2009

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