健康资讯 【疑似魅族 20 现身 Geekbench，搭载第二代骁龙 8】
据外媒 pricebaba 和推主 @Paras Guglani 发现的固件数据信息，即将推出的型号为 M381Q 和 M391Q 的魅族手机将分别命名为「魅族 20」和「魅族 20 Pro」。
该系列手机近日现身 Geekbench 跑分平台，跑分显示这款魅族新机单核得分 1409，多核得分 4199，超大核频率为 3.19GHz，搭载 Android 13 操作系统。
魅族 20 系列是星纪时代与魅族科技联合打造的首款产品，预计将于明年第一季度正式发布。
消息来源：数字尾巴
魅族新机要来了，推出的型号为 M381Q 和 M391Q 的魅族手机将分别命名为魅族 20 和魅族 20 Pro。
单核跑分 1409，多核跑分 4199，超大核频率为 3.19GHz，配备 12GB 内存，搭载 Android 13 操作系统。不过仔细看就会发现，魅族20虽然搭载了骁龙8 Gen2处理器，但在性能调校上对比同芯片的其他品牌逊色不少。
因为从网上曝光的图片来看，同样是骁龙8 Gen2处理器，三星S23系列的Geekbench单核跑分达到了1485，多核分数也有4844，均比魅族20系列高。小米13更是打破历史纪录，单核成绩飚到1509分、多核成绩飙到5343分，根本不像是同一代产品。
魅族是不是现在重心没有放在手机上了。一年都出不了一款新机，实在是让煤油心都要凉了。这个珠海的小厂到底在干些啥？
#冬日生活打卡季#
基于钽酸锂/蓝宝石异质集成衬底的低损耗SAW谐振器
工作简介
中国科学院上海微系统与信息技术研究所利用“万能离子刀”剥离和转移技术，成功将4英寸Y42切LiTaO3单晶薄膜转移到蓝宝石（Sapphire）衬底上(LTOS)，并据此初步验证了低损耗声表面波谐振器（SUPSAW）。相较于传统单晶压电体材料，异质界面（LiTaO3-Sapphire）的引入大大提高了声波能量的表面约束能力，从而有效降低SUPSAW器件的机械损耗，提高了器件Q值。相较于近几年关注度较高的LTOI衬底（LiTaO3/SiO2/Si与LiTaO3/SiO2/Poly-Si/Si），LTOS异质衬底结构更为简单，且蓝宝石极高的电阻率和优秀的射频特性使得LTOS异质衬底的界面（LiTaO3-Sapphire）射频损耗较小，有效避免了SiO2-Si界面的电荷积累PSC效应，从而降低SUPSAW器件的电学损耗。相关研究结果在线发表于国际声学领域知名会议IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS) 上。
研究背景
近年来声表面波(SAW)器件已经广泛应用于无线通信系统中。随着现代通信系统的发展，更陡的裙边、更低的插入损耗(IL)、以及更高的温度稳定性已经成为高性能滤波器的基本需要。在滤波器拓扑结构确定的情况下，裙边陡直度和IL主要由品质因子(Q)决定。传统的基于压电晶体(如LiTaO3、LiNbO3)的声表面波器件由于Q值有限而难以满足快速增长的射频无线通信需求。基于LiTaO3/SiO2/Si (LTOI)异质结构的I.H.P-SAW已经被证实了具有非常优秀的性能。然而LTOI衬底的制备工艺必须要十分精确，否则在SiO2-Si界面会由于寄生表面电导(PSC)效应，如图1（a）所示，导致硅表面等效电阻率下降一个数量级以上，因此产生额外的射频损耗将导致Q值大幅下降。为解决这一问题, Ultra-SAW ，如图1（b）所示，在SiO2/Si界面引入了富陷阱层（trap-rich layer），然而更复杂的器件结构导致了上升的成本。
图1.（a）LTOI-SAW、（b）Ultra-SAW和（c）LTOS-SAW的示意图。
研究亮点
上海微系统所异质集成XOI课题组利用“万能离子刀”剥离与转移技术制备了晶圆级LiTaO3/Sapphire异质衬底(LTOS)，并据此初步验证了低损耗声表面波谐振器（SUPSAW），器件结构如图1（c）所示。基于LTOS衬底的SAW谐振器的光镜图以及测试结果如图2所示。由于蓝宝石的电阻率高达1014Ω×cm，远远超过了高阻硅，PSC效应对其影响微乎其微，因此LTOS可实现极低的射频损耗。如图所示，SUPSAW在2.2GHz附近Q值超过了2000。
图2. (a) SUPSAW的OM图及（b）局部放大图。(c)实测(实线)和拟合(虚线)的频率响应。(d)测量及拟合的SUPSAW的Bode-Q曲线。
此外，根据SUPSAW的测试结果设计和制备的低阶梯形滤波器的测试结果如图3所示，其在2.2GHz左右的插损为0.61 dB，相对带宽为3.6%。LTOS衬底、对应的谐振器与滤波器的优化设计进行中，可以期待性能更加优异的SUPSAW器件。
图3. 测试得到的低阶梯形滤波器的S参数
总结与展望
得益于XOI课题组在压电异质集成材料技术上的长期发展，通过钽酸锂单晶薄膜与极高电阻率且低射频损耗低的支撑衬底相结合，实现了结构简单的低损耗声表面波（SAW）谐振器。通过进一步地优化衬底和器件结构，可以期待综合性能更高的SAW滤波器。因此，SUPSAW器件在射频无线通信应用中具有十分广阔的应用前景。
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英特尔酷睿2四核Q9550@2.83Ghz这个CPU-z的跑分正常吗？我印象里，这个CPU的单核性能应该可以到和智能酷睿2代的差不多啊，是不是系统没有激活，限制了性能啊！
中国科大在6G滤波器领域取得重要进展
根据半导体行业观察消息，中国科学技术大学微电子学院左成杰教授研究团队在铌酸锂（LiNbO3）压电薄膜上设计并实现了Q值超过100000的高频（6.5 GHz）微机电系统（MEMS）谐振器，与文献中现有的工作相比，把Q值提升了2个数量级。
因此，源于对不同制式和频段间信号的隔离需求，工作于6 GHz的高品质因数（Q值）声波谐振器以及高性能滤波器将会成为下一阶段无线通信发展的关键技术，也是我国6G技术发展必须要自主可控的基础射频元器件与芯片。
6G时代，我们要解决各种可能被卡脖子的问题，所以做全套技术研发的路径没有错，这次中国科大取得6G滤波器的进展，真的是可喜可贺。
#数码资讯# #科技快讯#
从外观就能看得出来，这次小米路由器AX9000就是直接冲着高端去的，同样也是个大家伙，三频WiFi 6。
CPU：高通IPQ8072 / 2.2GHz / 4核64位 / A53构架
NPU：双核1.7GHz NPU
WiFi：QCN5024、QCN5054、QCN9024、QCA9889
RAM：1GB
ROM：256MB
总速率8354Mbps+600Mbps，5G Gaming频段速率4804Mbps，5G频段速率2402Mbps，2.4G频段速率1148Mbps，三个频段互不干扰，AIoT天线是600Mbps的2.4G+5G双频。
主动风扇，独立风道，金属散热鳍片，金属散热板和大面积通风格栅，一套主动被动散热。有USB 3.0，可以外接存储，LED自定义灯效，上面4个灯条，能显示1670万色，也有电竞模式灯效，外置12天线，看起来是像是4根天线，其实每个爪里面都有3根。
同等配置其他品牌要4000左右，小米AX9000打高端，价格还是性价比。能和10台小米WiFi6路由器组Mesh，以前的小米WiFi6路由也可以，很适合游戏玩家，大面积房间，小型工作室，或者想要一步到位的，售价999。
网件RBKE963之拆机
1、用于回程的5G2有独立的天线，开放给用户的5GHz和2.4GHz共用一套天线
2、6GHz独立在另一个PCB板上，两个主板通过接口相连，这和华硕灵耀ProAX11000的双主板设计类似，同时6G也设有四个独立天线设计
3、CPU是IPQ8074A，4核2.2GHz，上方是Winbond的FLASH芯片，512MB，右侧两颗内存芯片，共1GB
4、2.4G芯片是高通QCN5024，独立四颗FEM芯片型号是SKY85333
5、两个5G芯片都是高通的QCN5054，独立八颗FEM芯片型号是SKY85747
6、6G芯片是高通的QCN9024，独立四颗FEM芯片型号是SKY85784
7、10Gbps的WAN口交换芯片是MARVELL的AQR113C
8、2.5Gbps LAN口交换芯片是高通QCA8081
9、三组千兆LAN口交换芯片是高通QCA8075
更多内容请期待后续的详细测试视频。
Redmi AX3000 正式发布，售价 269 元，首销 249 元。定位是 Redmi AX5 的提速升级版，主要是 5GHz 频段支持 2x2 160MHz 频宽，比之前的 2x2 80MHz 速率提升一倍。你觉得值得购买吗？
- SoC 平台：高通 IPQ5000（双核 1GHz CPU、单核 1GHz NPU），128MB ROM，256MB RAM；
- 天线与放大器：外置四天线，5dBi 增益，四路独立信号放大器；
- 其他：支持小米 Mesh 方案、小米畅快连、内置网易 UU 游戏加速插件。
晚上雷军年度演讲 · 小米 MIX 4 发布会前一道开胃小菜——小米路由器 AX3000 发布，零售价 349 元，首发 329 元。
产品定位是之前 AX1800 的升级版，增加 160M 频宽提升速率。搭载高通 IPQ5000 平台，双核 1GHz CPU+单核 1GHz NPU，256MB RAM，128MB ROM，内置四天线、四路独立信号放大器，支持小米 Mesh 组网、小米畅快连等功能。[吃瓜群众]
碳化硅与铌酸锂异质集成实现超高Q值体声波谐振器
中科院上海微系统所异质集成XOI课题组利用“万能离子刀”剥离和转移技术，实现了LiNbO3单晶薄膜与导电SiC衬底的晶圆级集成，据此研制出共平面电极结构的宽频、超高Q值高次谐波体声波谐振器（HABR）。相较于传统“三明治”结构HABR器件，共平面结构HBAR的器件结构和器件工艺被极大简化了。相关研究结果在线发表于国际微电子领域知名期刊 IEEE Electron Device Letter（EDL）。
(DOI:10.1109/LED.2021.3079436)
研究背景
高次谐波体声波谐振器（HABR）由于其在GHz频段可以实现极高的Q值在声光调制、传感器、振荡器以及5G多通带滤波器上有着重要的应用价值。迄今为止，已经有了许多将压电薄膜生长在带底电极的支撑衬底上以制备“三明治”结构HBAR器件的研究，例如在硅或蓝宝石衬底上的氮化铝或氧化锌薄膜。如图1.（a）所示，压电薄膜夹在两层电极之间作为换能器用于激励产生体声波，而支撑衬底则是作为谐振腔。高次谐波的谐振频率由压电薄膜的等效声速和厚度决定，而不同阶数的高次谐波之间的频率间隔则由支撑衬底的厚度决定。此外，HBAR的频率响应范围（即存在的不同阶数的高次谐波的频率范围）与压电薄膜的机电耦合系数（K2）呈正相关。
研究亮点
上海微系统所异质集成XOI课题组利用“万能离子刀”剥离与转移技术制备了晶圆级LiNbO3/SiC（导电）异质衬底，突破传统“三明治”结构HBAR的结构限制，制备了共平面电极结构的据超高Q值HABR，器件结构如图1.（b）所示。
图1.（a）传统HBAR和（b）基于导电异质衬底的HBAR的示意图。
图2所示为制备的导电碳化硅上铌酸锂异质集成衬底截面SEM图以及XRD测试结果。由于导电碳化硅衬底既充当谐振腔又作为悬浮底电极以提供纵向电场，减少了额外的金属底电极，这使得该结构十分简单，且免除了金属底电极带来的复杂工艺和界面损耗。
图2. 制备的导电碳化硅上铌酸锂异质集成衬底的（a）截面SEM图和（b）XRD测试结果。
谐振器的光镜图以及测试结果如图3所示，其在2174MHz附近的QLAKIN值超过了40000（Bode-Q超过50000），相应地f×Q的值分别达到9.6×1013和1.1×1014。该结果是目前已知基于铌酸锂材料的谐振器的最高值，且TCF仅为-18ppm/℃。
图3. 制备的高次谐波体声波谐振腔的（a）导纳图，（b）光镜图，（c）f×Q值以及（d）测试和拟合的TCF结果。
此外，利用制备的高次谐波体声波谐振器的测试结果在ADS软件中模拟得到滤波器的结果如图4所示，其在1.5GHz左右的插损约为3 dB，并在约2GHz的频率范围内实现了多个间距10 MHz的通带。
图4.谐振器的测试结果在ADS中搭建滤波器得到的模拟结果。
总结与展望
得益于XOI课题组在压电异质集成材料技术上的长期发展，通过将具有大机电耦合系数的铌酸锂薄膜与本征损耗极低且导电性较好的支撑衬底相结合，实现了结构简单的宽频段多谐振的高Q值谐振器。通过进一步地优化衬底和器件结构，可以期待综合性能更高的HBAR器件，因此该技术在5G射频应用中具有十分广阔的前景。
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#春日开箱好物# 小米路由器AX9000的外观设计我觉得还行，顶部4个灯条，满满的电竞风格！要是能出个白色款就白搭多了，因为我家路由器就放客厅电视柜，要不改天重新喷涂上色？珠光白貌似不错。
可能有人不理解AX9000怎么来的，实际就是各个频段速率的总和。5G电竞频段速率4804Mbps（4*4 AX@160MHz）、5G频段速率2402Mbps（4*4 AX@80MHz）、2.4G频段速率1148Mbps（4*4 AX@40MHz）、AIoT双频天线600Mbps。
14纳米制程2.2GHz高通IPQ8072四核64位处理器，配备双核1.7Ghz NPU，芯片算力达到20240DMIPS，目前业界最强。1G RAM和256MB ROM，带机量高达1000台，堪称1K价位段的天花板。
千呼万唤的USB 3.0，配合2.5G网口和双LAN口链路聚合，拥有不错的玩法，例如高速家庭私有云。
主板上部散热采用复合金属材料散热鳍片，配合静音风扇和热仿真排风风道，外壳表面只有温温的感觉，不会发烫。
值得一提，AX9000的三频MESH有独立的回程，懂得都懂吧？我就不废话科普了！
问题来了，是否值得买吗？必须值得的！但AX9000到适合哪些人呢？1、游戏玩家，追求独立电竞频段的性能和稳定性；2、大房子或多房，需要组MESH实现全屋覆盖；3、智能设备超过50+；4、小微企业/工作室，2.5G网口组建NAS。当然了，不差钱的话，下单就对了！[紫薇别走]
这么
