创拉管理：万业企业(sh600641)

村口丶毛大爷：

万业企业(SH600641)有人知道一般业绩暴雷公告要求是在什么时候之前披露吗？

刺桐花似锦：

万业企业(SH600641)收心了。明天又将开启刺激模式！

如何实现暴富：

快开盘了，简单点。

证券：首创证券

汽车： 长安汽车 广东宏图 云海金属 三选一

半导体：兆易创新 韦尔股份 万业企业 三选一

鸡肉： 民和股份

首创证券(SH601136) 云海金属(SZ002182) 万业企业(SH600641)

aztz168：

今天A股开张，我也开启2023的工作模式，继续读书、练字、做研究，继续向优秀的人学习，坚持做难而正确的事。

展望新的一年，继续坚持，在坡长（行业空间大）雪厚（产品竞争力强、团队优秀）的向阳岗上滚雪球。

国科微(SZ300672)万业企业(SH600641)

火柴天常：

万业企业(SH600641) 这货今年还有戏吗

看不顺眼就怼：

万业企业(SH600641)
新年好！
万业企业，在兔年面临的困难和机遇会很多很多。
兔年开盘前股价18.75。
对此价格，不敢说在全年价格波动区间内位于高或低，与其他各类相关指数比，是否能跑赢。相对你手中的其他标的，持有万业企业，是否会带给你更多收益，或者是否有利你的心情和睡眠质量，不好也不敢说。
但，目前这个价格，值得特别关注了，只要不是那些站在这山羡慕那山高的事后成为诸葛的高手，那我认为投资价值越来越凸现了。
这算在兔年关于万业企业的第一贴，与虎年最后一贴的观点呼应。
祝大家新年好！睡眠好！收益好！

创拉管理：

2023，注定又是一个不平凡的年头，这一年里，无论我们是去学习、工作还是去创业、投资……当面对各种不确定性的时候，都需要遵守创拉管理博弈分析体系中关于“安全-盈利-持续”的原则以规避风险和损失。

“安全”是指我们在进行各种包括时间、精力、资金、资源、人力、物力等的投入和投资时，必须在“安全”的底线得到充分保障的前提下进行；

“盈利”是指在以产业、产品、管理、架构、模式、财务、壁垒、人才等客观存在基础上形成的可大概率实现盈利的保障。

创拉管理动量博弈体系中，只有在解决了安全基础上的盈利问题，再去说发展和持续才是最可靠的，这就是“安全-盈利-持续”的博弈原则。充分理解和了解并执行这个原则，可以充分保障我们在学习、工作、创业和投资等过程中规避风险，进而少走弯路，不走错路，以提升和改良创业投资获胜概率。

创拉管理，同德同行，成就价值！

上证指数(SH000001) 万业企业(SH600641) 中航电测(SZ300114) #上证指数# #半导体#

一然漫话：

半导体产业链应用环节划分，设备可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封测设备）两个大类。其中，后道工艺设备还可以细分为封装设备和测试设备。

设备中的前道设备占据了整个市场的 80%-85%（价值量），其中光刻机、刻蚀机和薄膜设备是价值量最大的三大环节，各自所占的市场规模均达到了前道设备总量的20%以上。

半导体设备处于产业链最上游环节，中游的芯片代工晶圆厂采购芯片加工设备，将制备好的晶圆衬底进行多个步骤数百道上千道工艺的加工，通过相关设备，借氧化，光刻，刻蚀，沉积，离子注入，退火，电镀，研磨等步骤完成前道加工，再交由封测厂进行封装测试，出产芯片成品。

1、光刻机：由欧洲ASML和日本Nikon和Canon深度垄断。

2、刻蚀、沉积、离子注入、清洗、氧化、涂胶、检测设备：由美国和日本垄断，其中检测设备由美系的KLA深度垄断。

前道设备中，我国去胶设备、清洗设备、CMP抛光设备、热处理设备、刻蚀设备国产化率较高。但在价值量较高领域内国产化率较低，如光刻、离子注入、薄膜沉积、涂胶显影等领域国产化率低。

光刻机：

光刻机成本极高，先进制程光刻机的单台价值量在亿欧元以上级别，是集成电路制造领域的核心设备。

在 7nm 以下先进制程的芯片生产中，需要使用波长为 13.5nm的极紫外光刻机（EUV）。此外， DUV光刻机主要生产制造28nm至7nm芯片。

国产替代方面，中科院光电所研发出 365nm 波长的近紫外光 DUV 光刻机设备。上海微电子已有生产前道90nm制程的光刻机，后道先进封装光刻机也已经实现出货。

根据最新的消息（有待确认），上海微电子已经突破了28nm制程工艺，这将会推动国产光刻机向前迈进一大步。

另外，我国生产的光刻机，可以满足国内军用芯片（稳定性，成熟技术）、自主可控芯片的代工需求，毕竟军用芯片并不需要14nm以上的先进制程工艺。

光刻机：欧洲+日本外循环为主，国内为辅。

刻蚀设备：

刻蚀设备按照刻蚀方式可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀，湿法刻蚀由于刻蚀的精度较低，在制程不断微缩的情境下，逐渐被干法刻蚀取代。

按照刻蚀对象分为介质刻蚀和导体刻蚀（导体刻蚀又可以分为金属刻蚀和硅刻蚀）这两类刻蚀对象分别对应了 CCP 和 ICP刻蚀设备，CCP 和 ICP 的市场规模近年来此消彼长。

国产厂商在刻蚀设备领域较早的实现了突破。无论是中微公司，北方华创，嘉芯半导体等在国产线的出货量逐渐增大。

中微公司CCP（介质刻蚀）刻蚀设备可以覆盖5nm以下的逻辑芯片以及128层3D NADA产线。

薄膜沉积设备：

薄膜沉积设备目前是半导体前道设备中市场空间最大的细分赛道，在薄膜设备的国产化进程方面，拓荆科技在 CVD 领域，北方华创在 PVD 领域都 已经有了一定的市场份额。但薄膜设备整体的国产化率依然较低，2021 年在 10%左右。

CVD领域，AMAT占比最大，2021年32.6%市场份额，国内沈阳拓荆3.1%的市场份额排名第7；PVD领域，美日韩占据60%的份额，国内主要企业是北方华创。

沈阳拓荆专注于薄膜沉积设备研发，产品主要包括PECVDALDSACVD设备，薄膜设备已广泛适用于国内14nm及以上制程集成电路制造产线。

涂胶显影设备：

TEL（东京电信）垄断了全球88%和中国91%的涂胶显影设备市场份额，其涂胶显影设备具备超越10nm的工艺节点，适用于EUV（极紫外线光刻机）和ArF浸没光刻系统。

芯源微是国内涂胶显影设备龙头，涂胶设备可满足28nm工艺。

离子注入设备：

万业企业是国内离子注入机龙头，正在逐步实现从房地产企业到半导体设备平台型企业的转型。旗下凯世通主营离子注入设备，Compart system主营MFC 流量控制计，嘉芯半导体主营成熟制程设备，包括刻蚀机、热处理、薄膜沉积、清洗机等8寸和12寸半导体新设备。

清洗设备：

盛美上海，全球首创TEBO技术，清洗设备可适用于28nm及以下图形晶圆清洗，先后开发了单片清洗、槽式清洗以及单片槽式组合清洗等清洗设备。

去胶设备：

北京屹唐干法去胶设备可用于90nm到5nm逻辑芯片，1y（14-16nm）到2x（32-38nm）nm系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造。

CMP设备：

华海清科是国内化学机械抛光（CMP）设备龙头，主营业务为提供半导体 CMP设备，提供 CMP 配套耗材和服务以及晶圆再生业务。公司是目前国内唯一一家为集成电路制造商提供 12 英寸CMP商业机型的高端半导体设备制造商，可向 14nm 及128层NAND 等更先进制程的更高平坦度要求。

量测设备：

市场高度集中，国际三巨头垄断80%市场份额，其中KLA市占率52%（2020年），在大部分量测设备处于龙头地位。

国内厂商，精测电子是检测设备龙头，专注量测设备，其膜厚关键尺寸光学检测技术较为领先，已有产品进入长江存储、中芯国际。在半导体领域，公司实现了前道、后道检测全领域的布局，子公司武汉精鸿主要负责自动检测设备（ATE）领域域（存储芯片测试设备）。

半导体设备领域几家龙头：

拓荆科技：国内薄膜沉积设备龙头之一，其产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三大系列。

精测电子：国内检测测量设备龙头，精测电子专注于量测设备，其膜厚关键尺寸光学检测技术较为领先，已有产品进入长江存储、中芯国际。

北方华创：半导体设备领域全方位、平台化布局，覆盖除光刻外全部前道工艺，主要包括刻蚀设备及薄膜设备（PVD、CVD）、氧化/扩散炉、清洗/退火等设备品类。

中微公司：中微公司是国内刻蚀设备龙头。在 CCP 设备中国内领先，在 ICP 刻蚀设备保持

高增速。中微刻蚀设备技术水平已经进入 5nm 以下领域。

华海清科：华海清科是化学机械抛光（CMP）设备龙头，主营业务为提供半导体 CMP 抛光设备，提供CMP配套耗材和服务以及晶圆再生业务。

万业企业：万业企业是国内离子注入机龙头，正在逐步实现从房地产企业到半导体设备平台型企业的转型。

芯源微：公司是国内涂胶显影领域龙头，并在清洗，后道先进封装等领域积极布局。

至纯科技：是国内清洗设备龙头, 半导体订单中以清洗效果更好的单片湿法设备为主。

最后，美国芯片法案对中国芯片制造的重点在高端EUV（极紫外线）光刻机的先进制程：

即14nm 及以下的fab、18nm 的DRAM、128层的NAND。

目前，成熟制程应用的DUV（深紫外线） 光刻机由日本、欧洲掌握。

其他设备方面，北方华创、中微、盛美、拓荆、华海清科、芯源微、万业、精测等国内半导体设备厂商的产品满足成熟工艺的标准（28nm），产品管线覆盖除光刻机外的所有领域，产品性能得到持续验证，半导体设备国产化率不断提升。

即：成熟工艺（28nm及以上）我国除光刻机（短板）以外，其他设备短期内实现国产替代问题不大，在先进工艺领域，我国半导体设备还有比较长的路要走。

成熟工艺作为芯片需求的主力，并且在CHIPLET 异构集成的大潮下，部分先进工艺可以用成熟工艺+先进封装来实现。

另外，由于目前国产设备材料的技术发展阶段的约束，且我国的成熟工艺产能仍大面积依靠进口，后续国内的扩产主力就是基于国产可控技术的成熟工艺。

基于此，浙商证券认为未来半导体产业会有三大趋势：

1、掌握设计权：

华米OV等整机厂掌握芯片设计权，韦尔股份/圣邦股份/兆易创新/芯朋微/全志科技/晶晨股份/瑞芯微等掌握独立设计权。

2、掌握代工权：

中芯国际/华虹半导体掌握独立代工权，士兰微/华润微/扬杰科技/捷捷微电/中车时代/比亚迪掌握自主晶圆厂。

3、掌握设备权：

北方华创/华峰测控/长川科技/万业股份/盛美半导体/拓荆科技/华海清科/中微半导体/至纯科技等掌握自主设备权。

郭伟松_鑫鑫投资：

（报告出品方/作者：浙商证券，陈杭、安子超）

TrendForce集邦咨询显示，2021年晶圆代工厂中，成熟制程仍占据76%的市场份额。2022年全球晶圆代工厂年增产能约14%， 其中十二英寸新增产能当中约有65%为成熟制程（28nm及以上）。以全球视角来看，成熟工艺仍是主流：

1、全球视角：世界三大晶圆代工巨头（台积电、联电、格芯），成熟工艺约占总产能的74%。

① 台积电：成熟工艺约占产能的64%，占销售额的34%。预计台积电产能为120万片/月（12英寸），16nm/7nm/5nm的 产能约为13.7/17.8/12.0万片，先进制程产能约为43.5万片/月，占比36%。到2025年其成熟和专业节点的产能将扩大50%。

② 联电：放弃先进制程，专注成熟工艺。联电在2018年宣布不再投资12nm以下的先进制程，自此专注在成熟工艺扩大市场。目前联电产能为40万片/月（12英寸），全部集中在成熟工艺。此外，公司于21年投入约36亿美元扩大28nm芯片产能。

③ 格芯：成熟工艺产能约占83%，退出10nm以下先进制程。格芯于2018年宣布退出10nm及以下的先进制程的研发，目前拥有的先进制程为12nm。预计目前格芯产能约为20万片/月（12英寸），拥有先进制程的纽约fab8约占17%。

2、目前国内晶圆厂扩产聚焦在成熟工艺，需求大、供给足、成本性价比高。

① 需求：成熟制程能覆盖除智能手机以外的绝大多数应用场景，更是电动汽车、智能家电的芯片主力军。

② 供给：在光刻机方面，美国芯片法案对中国芯片制造的重点在刚需高端EUV光刻机的先进制程，即14nm及以下的fab、 18nm的DRAM、128层的NAND。而目前成熟制程应用的DUV光刻机由日本、欧洲掌握，美国的影响力有限。 其他设备方面，北方华创、中微公司、盛美上海、拓荆科技、华海清科、芯源微、万业企业、精测电子等国内半导体设备厂商的产品满足成熟工艺的标准，产品管线覆盖除光刻机外的所有领域，产品性能得到持续验证，半导体设备国产化率不断提升。

③ 成本/工艺：随着先进制程不断演进，制造工艺的研发和生产成本逐代上涨，高涨的技术难度和成本高筑进入壁垒。

中国在全球半导体产业中仍为“追赶者”姿态，根据SIA，2021年半导体行业格局（按产值）为美国（46%）、韩国（21%）、 日本（9%）、欧洲（9%）、中国台湾（8%）、中国大陆（7%）。随着半导体行业走向成熟以及竞争环节产生剧变，全球半导体产业政策也进入密集区，政策主要围绕“强化自身供应链”和“加强研发力度”两条主线：

1、美国（“芯片法案”，2022年8月）：维持技术优势，吸引全球芯片制造龙头在美建厂

具体政策：未来五年向半导体行业提供约527亿美元的资金支持，并为企业提供价值240亿美元的投资税抵免；提供约2000亿 美元的科研经费支持。此外，美国加入“中国护栏”条款，禁止获得联邦资金的公司在中国大幅增产先进制程芯片。

2、欧洲（“芯片法案”，2022年2月）：加紧先进技术突破，抢占全球市场份额。

具体政策：向半导体行业投入超过430亿欧元公共和私有资金。其中，110亿欧元将用于加强现有研究、开发和创新。从长期目标来看，在2030年将欧洲半导体市场份额从2021年的9%提升至20%。

3、日本（“半导体援助法”，2022年3月）：财政预算加码，设备补助提升。

具体政策：只要申请企业提出的生产计划符合“持续生产10年以上”、“供需紧绷时能增产应对”等条件，最高将可获得设备费用“半额”的补助金。此外，日本2021财年预算修正案显示，约在半导体行业投入7740亿日元（约合人民币423亿元）。

Chiplet将满足特定功能的裸芯片通过Die-to-Die内部互联技术，实现多个模块芯片与底层基础芯片的系统封装，实现一种新形势的IP复用。Chiplet不仅是延续后摩尔时代的关键，也是国内布局先进制程的解决方案之一，将成为未来行业发展的主线：

1、Chiplet是延续后摩尔时代，解决产业发展难题的关键所在

Chiplet可以大幅提高大型芯片的良率：在高性能计算、AI等方面的巨大运算需求，使得整个芯片晶体管数量暴涨，芯片的面积也不断增大，固有不良率带来的损失增大。而Chiplet可以切割成独立小芯片，有效改善良率，降低不良率带来的成本增长。

2、Chiplet是国内突破技术封锁，布局先进制程的重要方案

按性能分，芯片分为三种：

【能用】芯片：135-28nm，对应3G手机、家电、消费电子产业

【够用】芯片：14-7nm含chiplet，对应4G手机、L2辅助驾驶、普通座舱

【好用】芯片：7-2nm的尖端工艺，对应5G手机、L5无人驾驶、高级座舱

随着5G通信、智能驾驶、人工智能等潮流兴起，SOI技术凭借高性能、低功效的优势，带动SOI硅片需求量大幅增加。基于SOI 材料的FD-SOI是先进工艺（28nm以下）两大技术路线之一，也是国内突破先进工艺的方案之一：

1、基于SOI的两大技术路线：RF-SOI技术用于5G射频芯片，FD-SOI开启28nm以下先进制程

RF-SOI（射频绝缘体上硅）：相较于传统的GaAs和SOS技术，不仅成本更低、集成度更高，还发挥了SOI材料结构的优势， 所实现的器件具有高品质、低损耗、低噪声等射频性能，主要用于制造智能手机和无线通信设备上的射频前端芯片。 FD-SOI：FinFET和FD-SOI是发展先进工艺（28nm以下）的两大解决方案。FinFET技术路线的先进工艺带来了工艺复杂、 工序繁多、良率下降等问题，使得在28 nm以下制程的每门成本不降反升。FD-SOI技术路线逐渐得到业界关注。 理论上，利用DUV光刻机制造的FD-SOI产品，可以达到与采用EUV光刻机制造的FinFET产品相当的性能。

2、材料：核心技术由法国Soitec掌握，中国大陆加快追赶步伐

国外：300mm的SOI硅片核心技术由法国Soitec掌握，日本信越化学、SUMCO、中国台湾环球晶圆等少数企业具备生产能力。

国内：沪硅产业旗下子公司获得Soitec技术授权，公司于2022年2月完成50亿定增，其中20亿元投入高端硅基材料研发。项目完成后，沪硅产业将建立300mm高端硅基材料的供应能力，并完成40万片/年的产能建设，加快在SOI领域的追赶步伐。

RISC-V开放的定位是国产芯片实现全产业链自主可控的必要基础，条件约束和技术优势两方面因素决定了RISC-V与中国半导体产业双向选择。从技术架构、软硬件生态到量产应用，我国RISC-V产业正加速迈向成熟。随着2023年正式步入高性能计算场景，基于RISC-V开发的CPU IP将成为2023年国产IP主线。

RISC-V可以满足国产CPU架构自主可控需求。不同于x86、ARM等国外商业公司垄断的私有指令集架构，RISC-V最大的特点是开放标准化，是CPU技术变革的一次绝佳机遇，能够很好的调节软件普适生态和CPU国产自主可控的双重需求。RISCV生态体系也因此正在全球范围内快速崛起，成为半导体产业及物联网、边缘计算等新兴应用领域的重要创新焦点。

RISC-V全球化立场鲜明。2019年，RISC-V基金会因为担忧美国的贸易法规而搬到了瑞士，并更名为RISC-V International， 进而该开源社区的代码上传下载可不受美国出口管制。目前RISC-V基金会的22个主要成员中有12个来自中国，占比超过 50%。其中包括华为公司、阿里巴巴集团、中科院计算所等知名企事业单位。

2022年美国通过《美国芯片与科学法案》，其中针对半导体行业，计划五年内投入527亿美元的政府补贴。此外，加入“中国护栏”条款，禁止获得联邦资金的公司在中国大幅增产先进制程芯片。这标志着半导体行业将由全球化大分工，转向反全球化：

1、1990-2009：美国半导体内循环（一家独大）

2010年之前，以AMD、IBM、德州仪器、Intel、镁光为首的半导体巨头以IDM模式占据了全球领导地位，此时的美国基本上是超级内循环模式，在全球科技版图中占据主导地位。

2、2010-2017：全球半导体外循环（全球化蜜月期）

2010 年后，AMD、IBM 相继剥离晶圆厂独立成格罗方德。美国在 fab 领域和 IDM（CPU、DRAM）的竞争优势逐步向亚洲转移， 苹果主导的全球大分工模式开始。

半导体产业链三种权利：设计权（决定创新和供给）+代工权（决定安全和产能）+设备权（决定产业链安全和工艺底层突破）。 我们认为，芯片产业全球化分工使设计与制造环节分离，存在供应链的地理分割，加剧了受外部因素影响而供需失衡的风险， 因此企业向产业链前端渗透、实现自主可控已是大势所趋。

1、对于终端厂商来说，芯片领域将成为新的主战场，着力于掌握芯片设计权甚至代工权是终端企业未来发展方向。

目前部分下游软硬件公司逐步开启芯片自研模式。①智能手机：小米、OPPO、vivo等芯片研发主要聚焦于影像、蓝牙、电池管理等细分领域；②智能汽车：以特斯拉为先锋，传统车企以及造车新势力如通用、比亚迪、蔚来等也先后进军芯片自研；③ 互联网：亚马逊、微软、谷歌、阿里等通过推出定制化的自研芯片，驱动云计算服务的创新迭代。参考全球智能手机巨头的发展历程，随着产品同质化加剧，芯片区别的重要性日益突显，成功的头部手机厂商均拥有较强的芯片设计研发水平，如苹果的 A系列芯片、三星的猎户座芯片以及华为的麒麟系列芯片，验证了掌握核心造芯技术对于终端厂商的重要性。

2、对于IC设计公司来说，自建晶圆厂、在成熟工艺节点掌握独立代工权、将芯片设计和生产制造环节集于一体，将成为趋势。

当前，缺乏代工权已经成为制约中国半导体设计公司发展的关键因素。①产能不足：设计公司晶圆制造是芯片产业链的重要环节，在当前全球晶圆产能紧缺、终端消费需求复苏的大背景之下，中国大陆芯片仍有较大供需缺口，晶圆代工厂产能无法匹配设计公司不断提升的技术水平。②利润承压：晶圆短缺导致代工厂涨价，增加IC设计公司成本。

电车智能化进程可分为智能座舱和智能驾驶两条线。

1、智能座舱：经历三段式发展，未来3-5年将成为电车智能化主战场。

1.0阶段（1980s-2011）：以1986年第七代别克Riviera标配9英寸触摸屏为起点，历史上第一辆搭载触屏技术的汽车诞生， 开启座舱智能化进程。

2.0阶段（2012-2021）：特斯拉Model S创新性地采用大尺寸车载显示屏，取消绝大部分机械按键， 标志着智能座舱进入电子化时代。

3.0阶段（2022-2027）：理想L9开创智能化交互模式，采用五块大屏，即HUD+安全驾驶交互屏+中控屏+副驾屏+后舱娱乐屏，并且拥有6音区、3D ToF传感器及21个扬声器等，实现三维交互，此后智能座舱发展聚焦于人机交互的智能体验。

2、智能驾驶：目前发展受限，时机尚未成熟，2025后有望突破约束得以发展。

短期内，智能驾驶无法成为智能电车发展重点的主要原因：

①缺少芯片代工：虽然我国有先进制程的设计能力和封测能力， 但先进制程的生产制造水平落后，缺少掌握先进工艺的芯片代工厂，高性能芯片供给受约束。

②缺少算法算力：尽管以地平线、海思为代表的国产芯片厂商具备大算力优势，但整体来看，仍难以满足由传感器数量提升带来的爆发式增长的算力需求。

③缺少法律法规：当前我国自动驾驶相关法律法规尚不完善，其商业化应用将面临法律挑战。

在我们的半导体研究框架中，短期看库存周期，中期看创新周期，长期看国产替代。

典型的库存周期可分为四个阶段：

①主动去库存（量价齐跌）：晶圆厂产能供过于求，全行业芯片库存达到高点，以手机和家电为代表的下游需求紧缩，于是降价以去库存，消费芯片呈现出量价齐跌状态。

②被动去库存（量跌价平/升）：随需求复苏，库存继续减少，价格保持，随后逐步涨至正常利润线水平。

③主动补库存（量价齐升）：需求增加的速度高于供给增长， 库存持续下行，库存去完后供需平衡，厂商扩大供给，进入补库存阶段，量价齐升，处于盈利最佳状态。

④被动补库存（量升价平/跌）：需求相对平稳，而厂商为了应付未来可能的需求，继续增加产量，存在供给惯性，导致供给侧产能过剩。

通过梳理国内半导体行业国产替代的发展脉络，可以分为五个阶段，2023年国产化将从4.0向5.0推进：

1、国产化1.0（芯片设计）：2019年以信创软件（操作系统）和芯片设计（数字芯片、模拟芯片）几大类为主

2019年5月，限制华为终端的上游芯片供应，目的是卡住芯片下游成品，直接刺激了对国产模拟芯片、国产射频芯片、国产存储芯片、国产CMOS芯片的倾斜采购，这是第一步。

2、国产化2.0 （晶圆制造）：2020年以晶圆代工和周边产业链，主要以中芯国际、封测链、设备链为主

2020年9月，限制海思设计的上游晶圆代工链，目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圆厂都严重依赖美国的半导体设备 （PVD、刻蚀机、离子注入机等），海思只能转移到备胎代工链，直接带动了中芯国际等国产晶圆厂和封测厂的加速发展。

3、国产化3.0（设备材料） ：2021年以晶圆厂上游的半导体设备和材料链为主，比如前道核心设备和黄光区芯片材料

2020年12月，中芯国际进入实体名单，限制的是芯片上游半导体供应链，本质是卡住芯片上游设备。想要实现供应链安全， 必须做到对半导体设备和半导体材料的逐步突破，由于DUV不受美国管辖，此阶段的关键是针对刻蚀等美系技术的替代。

4、国产化4.0（设备零部件、EDA/IP、材料上游） ：2022年以零部件和EDA为主，进入到国产链条的深水区，最底层的替代

2022年8月，美国发布芯片法案，对国内先进制程的发展进行封锁。想要实现产业自主可控，必须进入国产链条的深水区，实现从根技术到叶技术的全方位覆盖。因此，底层的半导体设备逐渐实现1-10的放量，芯片材料逐渐实现0-1的突破，EDA/IP登陆资本市场，成为全新品类，最底层的设备零部件也将迎来历史性发展。

5、国产化5.0（中国半导体生态系统）：2023年以后，将以建立产业链各环节强供需联系、打通内循环为主要替代目标

我国半导体产业全而不强，半导体产业链的几乎每一个环节都有中国企业，但是整体处于落后位置。由于产业链上下游的中国企业缺乏深度联系，单个企业的进步很容易受美国制裁影响。因此，培育良好的产业生态，实现全自主制造，打通内循环， 依托国内的市场优势，实现半导体产业链的不断升级，将成为国内半导体行业国产化5.0的重要目标。