surface 2（surface 2230）

据MSPoweruser报道，为了庆祝Surface Duo 2的推出，游戏开发商Gameloft发布了一些特别适合双屏设备的游戏。

该系列包括《狂野飙车9：竞速传奇》、《现代战争5》和《地牢猎手5》，其特点是适应性强，比如可以在一个屏幕上看到地图，而在另一个屏幕上玩游戏，或在屏幕上进行专用控制。

这些更新的游戏今天可用于Surface Duo手机，当Surface Duo 2正式发售时也将获得支持。

华为这款MateBook E二合一笔记本牛逼在哪里？不就是微软的surface？[白眼]#华为#

微软正式推出Surface Laptop4笔记本

主要配置参数如下：

1，搭载酷睿i5-1135G7 / i7-1165G7 / 锐龙5-4680U / 锐龙7-4980U处理器

2，搭配8G/16G/32G LPDDR4X内存+256G/512G/1T SSD

3，采用13.5英寸2256×1504分辨率 / 15英寸2496×1664分辨率PixelSense触控屏，201PPI，支持十点触控及Surface Pen

4，铝制机身，厚14.5(13寸)/14.7mm(15寸)，重1265g(13寸Alcantara)/1268g(13寸金属)/1542g(15寸金属)

5，配备47.4Wh电池

6，支持Windows Hello面部识别登入

7，接口：

1× USB-C

1× USB-A

1× 3.5mm音频接口

1× Surface Connect接口

售价如下：

Laptop4 13''：

1，i5+8G+512G：9728元

2，i5+16G+512G：11088元

3，i7+16G+512G：13588元

4，i7+32G+1T：18488元

5，R5+8G+256G（Alcantara）：7888元

6，R5+16G+256G（Alcantara）：9388元

7，i5+8G+512G（Alcantara）：9278元

8，i5+16G+512G（Alcantara）：11088元

9，i7+16G+512G（Alcantara）：13588元

Laptop4 15''：

1，R7+8G+256G：9988元

2，R7+8G+512G：11288元

3，R7+16G+512G：13488元

4，i7+16G+512G：13988元

5，i7+32G+1T：18488元

小伙伴你们觉得如何呢？欢迎大家评论区留言哈，也欢迎关注，一起成长。

[笑哭][笑哭]以前觉得二合一笔记本只有微软的苏菲比较值得买，虽然说价格贵，但是自家的系统加上优秀的硬件和设计，还是很受欢迎的。不过自从看到ROG幻X之后，感觉Surface Pro完全不够打了啊

ROG幻X搭载12代酷睿i9-12900H处理器和RTX 3050Ti显卡，还有1TB SSD和16GB LPDDR5内存，支持无损连接搭载GeForce RTX 3080，还有120Hz高素质屏，玩3A大作都足够了，连个手柄还能当游戏主机玩，这谁还买苏菲Pro啊[捂脸]#数码圈八卦##笔记本#

锂基硒化CZTS表面可能实现增大锌黄锡矿半导体开路电压

近日，河南大学贾瑜教授课题组的研究成果《Li-based selenized Cu2ZnSnS4 surface: Possible route to overcoming Voc-deficit of kesterite solar cells》于Applied Physics Letters (Appl. Phys. Lett., 2021, 118, 252106)杂志上发表。

通常，薄膜太阳能电池的开路电压依赖于其前电极和吸收层界面处的能带弯曲。由于CZTS侧过高的空穴浓度，在CZTS/CdS界面很难形成实质性的能带弯曲，这极大地阻碍了开路电压的提高。因此，抑制CZTS侧强p型特征或者将其转变为弱n型是克服开路电压损失的一个值得探究的思路。

这项工作基于第一性原理计算，结果表明锂基硒化的CZTS表面表现出十分优异的性能：（1）很大程度改善了缺陷和带边性质，这有助于抑制载流子的非辐射复合和促进电子提取；（2）本征的弱n型缺陷特征有效增大了CZTS/CdS界面处的带边弯曲从而提高电池的开路电压。

特种功能材料教育部重点实验室硕士研究生崔迎茹对本研究工作的实施和博士研究生项会雯对论文的写作有贡献，实验室刘成延老师和贾瑜教授为文章通讯作者。本工作得到了国家自然科学基金和河南省高校重点科研项目的支持。

来源：河南大学

文章链接

网页链接

亲侄子，大学每年我都会至少资助4000学

费，平时一两百红包还不算，现在他苏州

大 学本硕毕业在无锡工作，月薪应该在17-2

0K之间吧。我有一位好友是在无锡高新区创业，算是成功人士吧，送我一个surface，

其实不仅仅因为给我个笔记本，还有一些资 料传给我的需要。我电话让我侄子去他公司

取一下，他竟然给我说直接让我朋友顺丰到

我家多好，还说他自己社恐，不想认识人

家。我内心真的是又生气又无奈，难道这几

年我在他身上花的至少有五六万块钱都是大

风刮来的吗？

Two new Vocabulary words of the day!!  

8/9/21 

Catharsis ~ Theatrics

1. Catharsis ~n. In psychology, the process of bringing to the surface repressed emotions, complexes, and feelings in an effort to identify and relieve them, or the result of this process. Emotional release, an experience or feeling of spiritual release and purification brought about by an intense emotional experience. Finally getting it off your chest.

2.  Theatrics ~ n.  Dramatic performances, excessively emotional and dramatic behavior... i.e. His mom told him, "Stop with the theatrics and finish your homework now!" Overemotional exaggerated behavior calculated for effect.

1... (a) Crying is a great catharsis for releasing pain and anger. (b) As the city grieves for those who died during the hurricane, many survivors find catharsis in the warmth of area churches. (c) Sometimes the act of taking a break away from the world in nature, will help a tired person experience the catharsis he or she needs to deal with everyday life. (d) During his first year of marriage, John went through a huge catharsis in which he learned how to honestly express his emotions. 

2... (a) The crying girl’s theatrics irritated her parents who were tired of her constant drama. (b) Tom's coach ignored his dramatic theatrics after losing the game and encouraged him to calm down. (c) The performance, though heavy>

10000V！氮化镓功率器件击穿电压新纪录

近日，美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心（CPES）和苏州晶湛半导体团队合作攻关，通过采用苏州晶湛新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片，以及运用pGaN降低表面场技术（p- GaN reduced surface field (RESURF)制备的肖特基势垒二极管(SBD)，成功实现了超过10kV的超高击穿电压。这是迄今为止氮化镓功率器件报道实现的最高击穿电压值。相关研究成果已于2021年6月发表于IEEE Electron Device Letters期刊。

实现这一新型器件所采用的氮化镓外延材料结构包括20nm p+GaN/350nm p-GaN 帽层以及23nm Al0.25Ga0.75N/100nm GaN本征层的5个沟道。该外延结构由苏州晶湛团队通过MOCVD方法在4吋蓝宝石衬底上单次连续外延实现，无需二次外延。

基于此外延结构开发的氮化镓器件结构如图1所示，在刻蚀工艺中，通过仅保留2微米的p-GaN场板结构（或称为降低表面场（RESURF）结构），能够显著降低峰值电场。

在此基础上制备的多沟道氮化镓肖特基势垒二极管（SBD），在实现10kV的超高击穿电压的同时，巴利加优值（Baliga’s figure of merit, FOM）高达2.8 ，而39 的低导通电阻率，也远低于同样10kV耐压的 SiC 结型肖特基势垒二极管。多沟道氮化镓器件由于采用廉价的蓝宝石衬底以及水平器件结构，其制备成本也远低于采用昂贵SiC衬底制备的SiC二极管。

创新性的多沟道设计可以突破单沟道氮化镓器件的理论极限，进一步降低开态电阻和系统损耗，并能实现超高击穿电压，大大拓展GaN器件在高压电力电子应用中的前景。在“碳达峰+碳中和”的历史性能源变革背景下，氮化镓电力电子器件在电动汽车、充电桩，可再生能源发电，工业电机驱动器，电网和轨道交通等高压应用领域具有广阔的潜力。