可控硅电路图最简单的，大功率可控硅调压调光调速调温电路

关于【可控硅电路图最简单的】，今天涌涌小编给您分享一下，如果对您有所帮助别忘了关注本站哦。

• 内容导航：
• 1、可控硅电路图最简单的：大功率可控硅调压调光调速调温电路，电工电子实践，简单实用可靠
• 2、可控硅电路图最简单的，简单粗暴--5分钟搞定可控硅电路应用

1、可控硅电路图最简单的：大功率可控硅调压调光调速调温电路，电工电子实践，简单实用可靠

这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。这台调压器的输出功率可达1500W，一般家用电器都能使用。

可控硅调压调光调温电路，具有简单可靠，控制方便等优点。

可控硅调压调光调温电路图

一：工作原理

R2、R3、C2、DB3 组成脉冲信号触发双向可控硅BTA16， 使BTA16在市电正负半周均保持相应正反向导通。220伏交流电源经过负载（如灯泡等）、可调电位器R2、电阻R3给电容C2充电，当C2充电电压达到DB3阀值28V时，双向触发二极管导通使电压到达可控硅控制极，使可控硅被触发导通。改变可调电位器R2的阻值，可增大或减小双向可控硅的导通角，使输出电压升高或降低，从而起到调压调光调温调速的目的。

用途：家庭台灯调光、电熨斗、电炉调温、变压器的调压，热水器调热、电热毯的调温、电风扇调速等。

此双向可控硅在加散热器的情况下，控制的负载功率可达1500W 左右。

工作电压：220伏

调节范围：0--220伏

功率：1W-1500W

大功率可控硅调压调光调温实物图

该款调压器能很方便的调整市电的输出电压，供用电器工业上使用。能很方便的控制一千五百瓦左右的电器。

从而达到调光，调温，调速，调压的效果，由于功率已经很大，所以一般的家庭电器或小型工厂足够用。

使用中只要把调压器的两根线串联在电路中就行了，串联在电路中的灯泡位置，注意尽量使用阻性负载，感性、容性负载功率要降低使用。

二：元器件选择

1、双向可控硅型号选择：BTA16-600B，采用TO-220AB 封装方式。

耐压600V，电流有效值：16A，工作温度范围：-40～+125°C.

要根据负载功率的大小，加装合适的铝制散热器。

BTA16-600B双向可控硅实物引脚图

2、可调电位器选用阻值为220K-470KΩ，WH114-1型合成碳膜电位器，可调电位器直接焊在电路板上。

3、电阻除R1用功率为1W的金属膜电阻外，其它的可以用1/4W的碳膜电阻或金属膜电阻。

4、C1电容：MKP 0.1uf/275V安规电容。

5、C2电容：CBB聚丙烯电容，耐压400V或者630V。

6、DB3：双向触发二极管，型号就是DB3，转折点电压：28-36V。

三：中功率可控硅调压调光调温器

中功率可控硅调压调光调温实物图

如果双向可控硅在没有加散热器的情况下，控制的负载功率一般在500W左右。

2、可控硅电路图最简单的，简单粗暴--5分钟搞定可控硅电路应用

单向可控硅工作原理

单向可控硅的电流是从阳极流向阴极，交流电过零点时截止，如图交流电的负半周时，单向可控硅是不导通的，在正半周时，只有控制栅极有触发信号时，可控硅才导通。

双向可控硅工作原理

双向可控硅的电流能从T1极流向T2极,也能从T2极流向T1极，交流电过零点时截止，只有控制栅极有正向或负向的触发信号时，可控硅才导通。

上图中，VCC和交流电其中一端是连接在一起的，这样就能保证单片机是输出低电平信号触发可控硅，这样可控硅触发工作在第3象限，上图中避免可控硅触发使用高电平信号，避免可控硅触发工作在第4象限。若运行在第4象限由于双向可控硅的内部结构，门极离主载流区域较远，导致需要更高的Igt,由 Ig 触发到负载电流开始流动，两者之间迟后时间较长,导致要求 Ig 维持较长时间,另外一个缺点就是会导致低得多的 dIT/dt 承受能力，若控制负载具有高dI/dt 值（例如白炽灯的冷灯丝），门极可能发生强烈退化。查阅可控硅BT134器件规格书，也明确说明触发工作在第4象限，Igt需求更大。如下图：

上图第1个主要是应用在低端类的产品上，常见的如家里的吊扇，第2个图加入单片机控制。

其它应用场合

上图是主要的可控硅栅极的触发电路

1.在使用双向可控硅控制电感性负载时，一般要如下面所示连接 RC 吸收电路 ， 以抑制施加到器件上的 (dv/dt)c 值。当用双向可控硅开关控制电感性负载（L型负载）时，如在转换期间由于电流延迟的作用， (di/dt)c 和 (dv/dt)c 超过某个值时，可能因为(di/dt)c 和(dv/dt)c，不需栅极信号而进入导通状态，从而变得无法控制。

RC吸收回路的参数取值，我们常见的马达控制场合，常用的选取电阻为100欧。电容为0.01uF. 而起到噪声保护的作用的，接在控制栅极和T1之间的电阻和电容的参数，可根据环境和EMC效果酌情选取。

2.根据公式，Rg=(Vcc-Vgt)/Igt（Rg为栅极电阻），栅极电流和栅极电阻Rg和栅极电压Vgt有关。

栅极触发电流Igt的设定，应有足够的余量，要充分考虑低温最恶劣的环境，可控硅的结温特性确定了在低温下的Igt需求更大，如下图：

栅极触发电流Igt的设定，还需考虑栅极触发电压Vgt的因素，同样，也要充分考虑低温最恶劣的环境，可控硅的结温特性确定了在低温下的Vgt需求更大，如下图：

考虑以上两个因素，设定栅极电流Igt时，通常按规格书要求的1.5倍来设定，故栅极电阻Rg的选取需谨慎选取。

3.当遇到严重的、异常的电源瞬间过程， T2上 电压可能超过 VDRM，此时 T2 和 T1 间的漏电将达到一定程度，并使双向可控硅自发导通，

若负载允许高涌入电流通过，在硅片导通的小面积上可能达到极高的局部电流密度。这可能导致硅片

的烧毁。白炽灯、电容性负载和消弧保护电路都可能导致强涌入电流。由于超过 VDRM 或 dVD/dt 导致双向可控硅导通，这不完全威胁设备安全。而是随之而来的 dIT/dt 很可能造成破坏。原因是，导通扩散至整个结需要时间，此时允许的 dIT/dt 值低于正常情况下用门极信号导通时的允许值。假如过程中限制 dIT/dt 到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。为此，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。如上述解决方法不能接受，或不实际时，可代替的方法是增加过滤和箝位电路，防止尖峰脉冲到达双向可控硅。使用压敏电阻器，作为“软”电压箝位器，跨接在电源上， 压敏电阻上游增加电感、电容滤波电路。

4.通常具有高初始涌入电流的常见负载是白炽灯，冷态下电阻低。对于这种电阻性负载，若在电源电压的峰值开始导通， dIT/dt 将具有最大值。假如这值有可能超过双向可控硅的 dIT/dt 值，最好在负载上串联一只几μH 的电感加以限制，或串联负温度系数的热敏电阻。需要注意的是，电感在最大电流下不能饱和。一旦饱和，电感将跌落，再也不能限制 dIT/dt。无铁芯的电感符合这个条件。一个更巧妙的解决办法是采用零电压导通，不必接入任何限制电流的器件。电流可以从正弦波起点开始逐渐上升。

注意：零电压导通只能用在电阻性负载。对于电感性负载，由于电压和电流间存在相位差，使用这方法会引起“半波”或单极导通，可能使电感性负载饱和，导致破坏性的高峰电流，以及过热。

本文关键词：可控硅实用电路，可控硅电路图讲解和实物图，可控硅电路图最简单的图形，可控硅最简单电路图(一支)，可控硅 电路图。这就是关于《可控硅电路图最简单的，大功率可控硅调压调光调速调温电路》的所有内容，希望对您能有所帮助！